차세대 파워디바이스 SiC/GaN의 산업화 및 학술연구동향

저자

조*, 구영덕

게재저널

에너지공학, 제22권 제1호(2013)

키워드

파워일렉트로닉스, 파워디바이스, 와이드갭 반도체, SiC, GaN, 산업화, 학술조사

개요

탄화규소(SiC)나 질화갈륨(GaN)과 와이드갭 반도체를 이용한 전력소자의 생산기술이 크게 발전하여 그간 널리 사용되어 온 실리콘(Si) 전력소자와 비교하여 작동전압, 스위칭 속도 및 on-저항 등이 크게 향상되어 몇 개 기업은 제품화를 시작하였다. 내압 등 기술적 과제 등을극복하여 산업화를 하고자 하는 움직임을 소개하고 아울러 연구동향도 분석한다.

첨부파일

• 24. 조만_에너지공학, 2013. 22권 1호.pdf [1,509,802 byte]

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