과제명 : 적, 녹 발광 Diode GaP계열

분석구분

과제수행자

박*학

분석일

2003-01-06 12:00:00.0

기술산업분류

작성기관

한국과학기술정보연구원

키워드

GaP계열  수광소자  대형단결정

과학기술표준분류

내용

III-V반도체 가운데 최근 GaP계열의 개발이 두드러지게 나타나고 있다. InGaAsP, AlGaAs계열은 Laser로, InGaAs계열은 수광소자로, GaP계열은 발광 Diode로 용도가 개발되어, 현재 산업현장에서 연구와 개발이 경쟁적으로 진행되고 있다. 광 Fiber 통신 System의 광원으로서 광 Fiber전송로의 친화성을 고려해서, InGaAsP/InP소자가 격자부정합 정도가 적고 발광파장이 0.6-1.8㎛로 넓어서 발광소자로 선호하고 있다. GaP는 Energy Band구조가 직접 전이형인 데도, 밝은 녹색발광(555nm)이 가능하여, 가시영역의 발광 Diode(LED)로서 대량사용하고 있다. GaP는 실온에서 Band Gap가 2.26eV 로 진성반도체로서의 비저항은 1014Ώcm이다.

분석물

이미지변환중입니다.

등록된 분석물이 없습니다.